Nhiễu xạ điện tử năng lượng thấp (Low energy electron diffraction - LEED) là phương pháp nhiễu xạ điện tử sử dụng các chùm điện tử có năng lượng thấp (từ 10 đến 600 V), chiếu tán xạ trên bề mặt mẫu, thường dùng để phân tích các tính chất bề mặt của chất rắn. Phương pháp này được thực hiện lần đầu tiên vào năm 1929 bởi Davisson và Germer trên các đơn tinh thể Si.

Chùm điện tử được chiếu tán xạ trên bề mặt mẫu, do có năng lượng thấp nên chỉ tương tác với một lớp mỏng tại bề mặt của mẫu, phổ nhiễu xạ được quan sát trên màn hình huỳnh quang đặt phía sau và phổ cũng là các đường tròn đồng tâm.